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【HJ013N10TL】N-MOSFET TOLL 100V,330A,1.1mΩ
采用先進(jìn)的SGT技術(shù)
極低導(dǎo)通電阻RDS（on）
優(yōu)秀柵極電荷x RDS（on）產(chǎn)品（FOM）
極低導(dǎo)通電阻RDS（on）
優(yōu)秀柵極電荷x RDS（on）產(chǎn)品（FOM）
【HJ020N04G】40V N-Channel SGT Power MOSFET
先進(jìn)的SGT技術(shù)以低柵極充電提供出色的RDS（ON）
該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用
該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用
【HJ015N03G】30V N-Channel SGT Power MOSFET
先進(jìn)的SGT技術(shù)以低柵極電荷提供優(yōu)異的RDS（ON）。
本裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和蓄電池保護(hù)應(yīng)用程序。
本裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和蓄電池保護(hù)應(yīng)用程序。
GM36:中科微低成本定位導(dǎo)航模塊
支持 BDS/GPS/QZSS/GLONASS
支持 A-GNSS
低功耗：連續(xù)運(yùn)行 25mA@3.3V
定位精度：2.0 米（CEP50）
支持 A-GNSS
低功耗：連續(xù)運(yùn)行 25mA@3.3V
定位精度：2.0 米（CEP50）
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sophieyang@wintec-semi.com
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